億光光電耦合器EL852基本特征 特征 : 高集電極-發射極電壓(VCEC= 350V) 電流傳輸比 (CTR:1000%分鐘,IF=1Ma,VCE=2V) 輸入之間的高隔離電壓 和輸出(Visio=5000 V rms) 爬電距離>7.6
特征:
高集電極-發射極電壓(VCEC= 350V)
電流傳輸比
(CTR:1000%分鐘,IF=1Ma,VCE=2V)
輸入之間的高隔離電壓
和輸出(Visio=5000 V rms)
爬電距離>7.62毫米
操作溫度高達100°C
緊湊的小外形封裝
無鉛和符合RoHS標準。
UL認可
VDE批準
SIMKO批準
NEMKO批準
德姆科批準
FIMKO批準
描述
EL852系列包括一個紅外發光二極管,光耦合到一個高電壓照片。
達林頓探測器
它被封裝在4引腳DIP封裝,并可在寬引腳間距和SMD選項。
應用
電話、電話交換機
順序控制器
系統器具、測量儀器
不同電位和阻抗電路之間的信號傳輸